| Model | Manufacturer | Package | Batch | In Store | Memo | BOM |
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| AD8420ARMZ 编带 环保 | ADI | MSOP-8 | 10000 | 芯片 仪器放大器 轨至轨输出 放大器数目: 3 输入偏移电压: 200μV 带宽: 2.5kHz 电源电压范围: 2.7V 至 36V, ± 2.7V 至 ± 18V 放大器封装类型: MSOP 针脚数: 8 放大器输出: 轨对轨 CMRR: 100dB 摆率: 1V/μs 电源电流: 75μA 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 工作温度范围: -40°C 至 +125°C |
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| OPA2188AIDR | TI | SOIC-8_39MM | 10000 | (ACTIVE) 0.03μV/°C、6μV Vos、低噪声、轨至轨输出、36V 零漂移运算放大器 ? 低偏移电压：25μV（最大值） ? 零漂移：0.03μV/° ? 低噪声：8.8 nV/√Hz ? 出色的直流精度： 15mV ? 增益带宽：2MHz ? 静态电流：475μA（最大值） ? 宽电源电压：±2V 至 ±18V ? 工作温度范围为 ―40°C至+105°C |
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| OPA541AP | TI | TO-220-11 | 10000 | 芯片 运算放大器 高功率 运放类型: 高电压 放大器数目: 1 摆率: 10V/μs 电源电压范围: ± 10V 至 ± 35V 放大器封装类型: TO-220 针脚数: 11 带宽: 1.6MHz MSL: (不适用) SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 变化斜率: 6V/μs 增益带宽: 1.6MHz 工作温度范围: -25°C 至 +85°C 放大器类型: 功率 输入偏移电压 最大: 10mV 额定电源电压, +: 80V |
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| TLV2252AIDR | TI | SOIC-8_39MM | 10000 | 芯片 运算放大器 双通道 SMD, 运放类型: 低功率 放大器数目: 2 摆率: 0.1V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 187kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 变化斜率: 0.12V/μs 增益带宽: 0.2MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 2.7V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 0.85mV |
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| OPA340UA | TI | SOIC-8_39MM | 10000 | 芯片 运算放大器 CMOS 轨至轨输入/输出 运放类型: 通用 放大器数目: 1 摆率: 6V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 5V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 5.5MHz 工作温度最小值: -55°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 2 - 1年 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 变化斜率: 6V/μs 增益带宽: 5.5MHz 工作温度范围: -55°C 至 +125°C 放大器类型: CMOS 电???电压最大值: 5.5V 电源电压最小值: 2.5V 输入/输出类型: Rail-Rail I/O 输入偏移电压 最大: 500μV 逻辑功能号: 340 额定电源电压, +: 5V |
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| OPA333AIDR | TI | SOIC-8_39MM | 10000 | (ACTIVE) 1.8V、17μA、微功耗、精密、零漂移 CMOS 运算放大器 运放类型: 零漂移 放大器数目: 1 摆率: 0.16V/μs 电源电压范围: 1.8V 至 5.5V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 350kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 150°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 增益带宽: 350kHz 工作温度范围: -40°C 至 +150°C 电源电压最大值: 5.5V 电源电压最小值: 1.8V 输入/输出类型: Rail-Rail I/O |
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| TL084IDR | TI | SOIC-14_39MM | 10000 | 芯片 四运算放大器 JFET输入 运放类型: 高电压 放大器数目: 4 摆率: 13V/μs 电源电压范围: 7V 至 36V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 14 带宽: 3MHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 85°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 工作温度范围: -40°C 至 +85°C 放大器类型: JFET运放 电源电压最大值: 36V 电源电压最小值: 7V 输入偏移电压 最大: 6mV 逻辑功能号: 084 额定电源电压, +: 15V |
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| LF412CD | TI | SOIC-8_39MM | 10000 | 芯片 运算放大器 双路 JFET 3MHz 运放类型: 高速 放大器数目: 2 摆率: 13V/μs 电源电压范围: ± 3.5V 至 ± 18V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 3MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 器件标号: 412 增益带宽: 3MHz 封装/箱盒: SOIC 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 电源电压最大值: 18V 电源电压最小值: 3.5V 电源电流: 4.5mA 输入偏移电压 最大: 3mV 额定电源电压, +: 18V |
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| AD825AR | ADI | SOIC-8_39MM | 10000 | 运算放大器 JFET 高速 放大器数量: 1 摆率: 140V/μs 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 41MHz MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 增益带宽: 37MHz 工作温度范围: -40°C 至 +85°C 电源电压最大值: 15V 电源电压最小值: 5V 芯片温度范围: 商用 输入偏移电压 最大: 5mV 运放特点: FET输入 额定电源电压, +: 15V |
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| LF412CN | NS | DIP-8 | 10000 | 芯片 双运算放大器 BIFET 运放类型: 高速 放大器数目: 2 摆率: 15V/μs 电源电压范围: 10V 至 36V 放大器封装类型: DIP 针脚数: 8 带宽: 3MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C MSL: (不适用) SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 412 器件标记: LF412CN 增益带宽: 4MHz 封装/箱盒: DIP 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 放大器类型: JFET运放 电源电压最大值: 36V 电源电压最小值: 10V 芯片标号: 412 芯片温度范围: 商用 输入???移电压 最大: 3mV 运放特点: 低漂移 逻辑功能号: 412 额定电源电压, +: 15V |
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| LF411CN | NS | DIP-8 | 10000 | 芯片 运算放大器 JFET 低偏移 运放类型: 高速 放大器数目: 1 摆率: 15V/μs 电源电压范围: 10V 至 36V 放大器封装类型: DIP 针脚数: 8 带宽: 4MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标记: LF411CN 增益带宽: 4MHz 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 放大器类型: JFET运放 电源电压最大值: 36V 电源电压最小值: 10V 芯片标号: 411 芯片温度范围: 商用 输入偏移电压 最大: 2mV 额定电源电压, +: 44V |
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| TLC2272IDR | TI | SOIC-8_39MM | 10000 | 芯片 运算放大器 双通道 SMD 运放类型: 低噪声 放大器数目: 2 摆率: 3.6V/μs 电源??压范围: ± 2.2V 至 ± 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 2.18MHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 增益带宽: 2.18MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 4.4V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 2.5mV |
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| AD628ARZ 编带 环保 | ADI | SOIC-8_39MM | 10000 | 芯片 可编程差分放大器 放大器数目: 2 带宽: 600kHz 电源电压范围: ± 2.25V 至 ± 18V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 通道数: 1 轨至轨输入/输出: (不适用) 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 85°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 变化斜率: 0.3V/μs 可编程增益 最高: 100 增益带宽: 440kHz 工作温度范围: -40°C 至 +85°C 放大器类型: 可编程增益 最大增益, dB: 100dB 最小可编程增益: 0.1 电压, Vcc: 15V 电源电压最大值: 18V 电源电压最小值: 2.25V 芯片温度范围: 商用 趋稳时间: 15μs 输入偏移电压 最大: 1.5mV 额定电源电压, +: 15V |
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| AD8276ARMZ 环保 编带 | ADI | MSOP-8 | 10000 | 芯片 差分放大器 放大器数目: 1 输入偏移电压: 100μV 带宽: 550kHz 放大器封装类型: MSOP 针脚数: 8 电源电压范围: 2V 至 36V 摆率: 1.1V/μs 电源电流: 200μA 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 85°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 工作温度范围: -40°C 至 +85°C |
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| SB160A | IR | DO-41 | 10000 | 肖特基二极管 1A 60V 二极管类型: 肖特基 二极管配置: 单一 电压, Vrrm: 60V 电流, If 平均: 1A 正向电压, Vf 最大值: 700mV 正向浪涌电流, Ifs 最大值: 35A 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 150°C 二极管封装形式: DO-204AL 针脚数: 2 外宽: 3mm 外部深度: 3mm 外部长度/高度: 56mm 封装/箱盒: DO-204AL 封装类型, 其它: DO-41 工作温度范围: -65°C 至 +150°C 正向电压: 700mV 电流, Ifsm: 35A 结温, Tj 最大值: 150°C 表面安装器件: 轴向引线 输入电压 有效值: 42V |
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| MMBD301LT1G | ON | SOT-23-3 | 10000 | 二极管 射频 1.5pF ；二极管类型: 肖特基 二极管配置: 单一 电压, Vrrm: 30V 电流, If 平均: 10mA 正向电压, Vf 最大值: 450mV 工作温度最小值: -55°C 工作温度最高值: 125°C 二极管封装形式: SOT-23 针脚数: 3 MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 中心频率: 1MHz 最大电容值 Cd @ Vr F: 1.5pF |
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| ES1D | LC | SMA(DO-214AC) | 10000 | 快速二极管 1A 200V SMD DO-214 二极管类型: 快速恢复 二极管配置: 单一 电压, Vrrm: 200V 电流, If 平均: 1A 正向电压, Vf 最大值: 920mV 时间, trr 最大: 15ns 正向浪涌电流, Ifs 最大值: 30A 工作温度最小值: -50°C 工作温度最高值: 150°C 二极管封装形式: DO-214 针脚数: 2 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装/箱盒: DO-214 工作温度范围: -50°C 至 +150°C 时间, trr 典型值: 15ns 正向电压: 920mV 电流, Ifsm: 30A 结温, Tj 最大值: 150°C |
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| 1N4148 | 先科ST | DO-35 | 10000 | 二极管高速 DO-35 二极管类型: 小信号 电流, If 平均: 200mA 电压, Vrrm: 100V 正向电压, Vf 最大值: 1V 时间, trr 最大: 4ns 正向浪涌电流, Ifs 最大值: 500mA 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 200°C 二极管封装形式: DO-35 针脚数: 2 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 器件标记: 1N4148 封装/箱盒: DO-35 封装类型, 其它: SOD-27 工作温度范围: -65°C 至 +200°C 总功率, Ptot: 500mW 最大正向电流, If: 450mA 正向电压: 1V 正向电流If最大值: 10mA 用途代码: HS 电流, If @ Vf: 10mA 电流, Ifsm: 4A 结温, Tj 最大值: 200°C 表面安装器件: 轴向引线 |
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| PESD5V0S1BA | NXP | SOD-323 | 10000 | 二极管类型: 双向TVS 钳位电压 最大: 14V 二极管封装形式: SOD-323 针脚数: 2 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) SMD标号: E6 TVS 极性: 双向 二极管配置: 双向 击穿电压: 9.5V 击穿电压 最小: 5.5V 击穿电压范围: 5.5V 至 9.5V 封装类型, 其它: SC-76 峰值脉冲电流: 12A 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 150°C 工作温度范围: -65°C 至 +150°C 截止电压: 5V 最低击穿电压: 5.5V 最高击穿电压: 9.5V 电压, Vrwm: 5V 电容值, Cd @ Vr 典型值: 35pF 电容值, Cd @ Vr 最大值: 45pF 脉冲峰值功率: 130W 针脚配置: 1 钳位电压, 8/20us 最大: 14V |
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| PESD5V0L2BT | NXP | SOT-23-3 | 10000 | 二极管 TVS 1uA 5V 钳位电压 最大: 28V 二极管封装形式: SOT-23 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) SMD标号: V4 TVS 极性: 双向 二极管配置: 双向 击穿电压: 7.6V 击穿电压 最小: 7V 击穿电压范围: 7V 至 8.2V 峰值脉冲电流: 13A 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 150°C 工作温度范围: -65°C 至 +150°C 截止电压: 5V 最低击穿电压: 7V 最高击穿电压: 8.2V 电压, Vrwm: 5V 电容值, Cd @ Vr 典型值: 75pF 脉冲峰值功率: 350W 表面安装器件: SMD 钳位电压, 8/20us 最大: 28V |
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