Model |
Manufacturer |
Package |
Batch |
In Store |
Memo |
BOM |
AD8130ARZ-REEL7 |
ADI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
|
|
AD626ARZ |
ADI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
低成本,单电源差分放大器 |
|
INA133UA/2K5E4 |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
High-Speed, Precision DIFFERENCE AMPLIFIERS |
|
EL5364ISZ-T7 |
Intersil |
SOP-16_39MM |
|
10000 |
|
|
ina159 |
TI |
MSOP-8 |
|
10000 |
|
|
INA105KP |
TI |
DIP-8 |
|
10000 |
|
|
INA282AIDR |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
|
|
MAX4080SASA |
MAXIM |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
芯片 检流放大器 76V SMD, 放大器数目: 3 输入偏置电流: 12μA 输入偏移电压: 100μV 带宽: 250kHz CMRR: 124dB 电源电压最小值: 4.5V 电源电压最大值: 76V 电源电流: 75μA 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 共模电压, VCM: 76V 增益带宽: 250kHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 最大增益, dB: 60dB 电源电压范围: 4.5V 至 76V 芯片温度范围: 车用 表面安装器件: SMD 输入偏移电压 最大: 0.1mV 输入偏移电流: 5μA 额定电源电压, +: 76V |
|
AD8420ARMZ 编带 环保 |
ADI |
MSOP-8 |
|
10000 |
芯片 仪器放大器 轨至轨输出 放大器数目: 3 输入偏移电压: 200μV 带宽: 2.5kHz 电源电压范围: 2.7V 至 36V, ± 2.7V 至 ± 18V 放大器封装类型: MSOP 针脚数: 8 放大器输出: 轨对轨 CMRR: 100dB 摆率: 1V/μs 电源电流: 75μA 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 工作温度范围: -40°C 至 +125°C |
|
OPA2188AIDR |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
(ACTIVE) 0.03μV/°C、6μV Vos、低噪声、轨至轨输出、36V 零漂移运算放大器 ? 低偏移电压:25μV(最大值) ? 零漂移:0.03μV/° ? 低噪声:8.8 nV/√Hz ? 出色的直流精度: 15mV ? 增益带宽:2MHz ? 静态电流:475μA(最大值) ? 宽电源电压:±2V 至 ±18V ? 工作温度范围为 ―40°C至+105°C |
|
OPA541AP |
TI |
TO-220-11 |
|
10000 |
芯片 运算放大器 高功率 运放类型: 高电压 放大器数目: 1 摆率: 10V/μs 电源电压范围: ± 10V 至 ± 35V 放大器封装类型: TO-220 针脚数: 11 带宽: 1.6MHz MSL: (不适用) SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 变化斜率: 6V/μs 增益带宽: 1.6MHz 工作温度范围: -25°C 至 +85°C 放大器类型: 功率 输入偏移电压 最大: 10mV 额定电源电压, +: 80V |
|
TLV2252AIDR |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
芯片 运算放大器 双通道 SMD, 运放类型: 低功率 放大器数目: 2 摆率: 0.1V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 187kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 变化斜率: 0.12V/μs 增益带宽: 0.2MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 2.7V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 0.85mV |
|
OPA340UA |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
芯片 运算放大器 CMOS 轨至轨输入/输出 运放类型: 通用 放大器数目: 1 摆率: 6V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 5V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 5.5MHz 工作温度最小值: -55°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 2 - 1年 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 变化斜率: 6V/μs 增益带宽: 5.5MHz 工作温度范围: -55°C 至 +125°C 放大器类型: CMOS 电???电压最大值: 5.5V 电源电压最小值: 2.5V 输入/输出类型: Rail-Rail I/O 输入偏移电压 最大: 500μV 逻辑功能号: 340 额定电源电压, +: 5V |
|
OPA333AIDR |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
(ACTIVE) 1.8V、17μA、微功耗、精密、零漂移 CMOS 运算放大器 运放类型: 零漂移 放大器数目: 1 摆率: 0.16V/μs 电源电压范围: 1.8V 至 5.5V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 350kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 150°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 增益带宽: 350kHz 工作温度范围: -40°C 至 +150°C 电源电压最大值: 5.5V 电源电压最小值: 1.8V 输入/输出类型: Rail-Rail I/O |
|
TL084IDR |
TI |
SOIC-14_39MM |
|
10000 |
芯片 四运算放大器 JFET输入 运放类型: 高电压 放大器数目: 4 摆率: 13V/μs 电源电压范围: 7V 至 36V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 14 带宽: 3MHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 85°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 工作温度范围: -40°C 至 +85°C 放大器类型: JFET运放 电源电压最大值: 36V 电源电压最小值: 7V 输入偏移电压 最大: 6mV 逻辑功能号: 084 额定电源电压, +: 15V |
|
LF412CD |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
芯片 运算放大器 双路 JFET 3MHz 运放类型: 高速 放大器数目: 2 摆率: 13V/μs 电源电压范围: ± 3.5V 至 ± 18V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 3MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 器件标号: 412 增益带宽: 3MHz 封装/箱盒: SOIC 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 电源电压最大值: 18V 电源电压最小值: 3.5V 电源电流: 4.5mA 输入偏移电压 最大: 3mV 额定电源电压, +: 18V |
|
AD825AR |
ADI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
运算放大器 JFET 高速 放大器数量: 1 摆率: 140V/μs 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 41MHz MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 增益带宽: 37MHz 工作温度范围: -40°C 至 +85°C 电源电压最大值: 15V 电源电压最小值: 5V 芯片温度范围: 商用 输入偏移电压 最大: 5mV 运放特点: FET输入 额定电源电压, +: 15V |
|
LF412CN |
NS |
DIP-8 |
|
10000 |
芯片 双运算放大器 BIFET 运放类型: 高速 放大器数目: 2 摆率: 15V/μs 电源电压范围: 10V 至 36V 放大器封装类型: DIP 针脚数: 8 带宽: 3MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C MSL: (不适用) SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 412 器件标记: LF412CN 增益带宽: 4MHz 封装/箱盒: DIP 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 放大器类型: JFET运放 电源电压最大值: 36V 电源电压最小值: 10V 芯片标号: 412 芯片温度范围: 商用 输入???移电压 最大: 3mV 运放特点: 低漂移 逻辑功能号: 412 额定电源电压, +: 15V |
|
LF411CN |
NS |
DIP-8 |
|
10000 |
芯片 运算放大器 JFET 低偏移 运放类型: 高速 放大器数目: 1 摆率: 15V/μs 电源电压范围: 10V 至 36V 放大器封装类型: DIP 针脚数: 8 带宽: 4MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标记: LF411CN 增益带宽: 4MHz 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 放大器类型: JFET运放 电源电压最大值: 36V 电源电压最小值: 10V 芯片标号: 411 芯片温度范围: 商用 输入偏移电压 最大: 2mV 额定电源电压, +: 44V |
|
TLC2272IDR |
TI |
SOIC-8_39MM |
|
10000 |
芯片 运算放大器 双通道 SMD 运放类型: 低噪声 放大器数目: 2 摆率: 3.6V/μs 电源??压范围: ± 2.2V 至 ± 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 2.18MHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 增益带宽: 2.18MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 4.4V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 2.5mV |
|